MMBT5551 Transistor NPN 160V 0.6A SOT-23

MMBT5551 là transistor lưỡng cực NPN điện áp cao, được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch và khuếch đại tín hiệu trong những mạch yêu cầu điện áp làm việc lớn. Với khả năng chịu điện áp Collector-Emitter lên đến 160V và dòng Collector tối đa 600mA, MMBT5551 là lựa chọn phù hợp cho các mạch điều khiển, nguồn điện, thiết bị viễn thông và các ứng dụng công nghiệp.

Được đóng gói theo chuẩn SOT-23, transistor có kích thước nhỏ gọn, dễ dàng lắp ráp trên các bo mạch SMD, giúp tiết kiệm không gian và nâng cao độ tin cậy của sản phẩm. MMBT5551 là phiên bản SMD của transistor 2N5551, nổi bật với khả năng chuyển mạch nhanh, hệ số khuếch đại ổn định và hoạt động bền bỉ trong nhiều môi trường khác nhau.

Đặc điểm nổi bật

• Transistor lưỡng cực NPN điện áp cao.
• Điện áp Collector-Emitter tối đa: 160V.
• Dòng Collector liên tục tối đa: 600mA.
• Tốc độ chuyển mạch nhanh, độ ổn định cao.
• Đóng gói SOT-23 nhỏ gọn, phù hợp công nghệ hàn dán SMT.
• Tiêu thụ công suất thấp, dễ tích hợp trong nhiều thiết kế mạch.

Ứng dụng

• Mạch chuyển mạch điện áp cao.
• Mạch khuếch đại tín hiệu.
• Mạch điều khiển nguồn và nguồn xung.
• Thiết bị viễn thông và thiết bị công nghiệp.
• Điều khiển LED, relay và tải công suất nhỏ.
• Các dự án Arduino, ESP32, STM32 và mạch điện tử DIY.

Thông số kỹ thuật

• Model: MMBT5551.
• Loại transistor: NPN BJT.
• Điện áp Collector-Emitter (VCEO): 160V.
• Điện áp Collector-Base (VCBO): 180V.
• Dòng Collector tối đa (IC): 600mA.
• Công suất tiêu tán: 300mW.
• Tần số chuyển tiếp (fT): Khoảng 100MHz.
• Kiểu chân: 3 chân.
• Đóng gói: SOT-23 (SMD).
• Transistor bổ sung: MMBT5401 (PNP).