IGBT 25N120 25A 1200V

   Thông số kỹ thuật:

•         Điện áp chịu đựng Vce: 1200V
•         Dòng điện cực đại Ic: 40A(ở nhiệt độ TC= 25°C), 25A(ở nhiệt độ TC= 100°C)
•         Nhiệt độ tối đa: 300°C
•         Điện áp Vge: ±20V
•         Công suất Ptot: 310W

 IGBT 25N120 là transistor có cực điều khiển cách ly là một linh kiện bán dẫn công suất 3 cực.  IGBT 25N120 kết hợp khả năng đóng cắt nhanh của MOSFET và khả năng chịu tải lớn của transistor thường. Mặt khác IGBT cũng là phần tử điều khiển bằng điện áp, do đó công suất điều khiển yêu cầu sẽ cực nhỏ.

IGBT 25N120 là một loại van công suất tuyệt vời. Khác với thysistor, IGBT cho phép đóng cắt một cách vô tư bằng cách đặt điện áp điều khiển lên hai cực G và E. Điện áp ra đo được trên van rất đồng dạng với điện áp điều khiển. IGBT thường dùng trong các mạch biến tần hay các bộ băm xung áp một chiều

IGBT 25N120 được phát triển để có hiệu quả cao và khả năng đóng cắt nhanh. Vì vậy,  IGBT 25N120 thường được dùng để chuyển mạch điện trong nhiều thiết bị hiện đại: bếp từ, ổ đĩa biến tần (VFD), xe điện , xe lửa, tủ lạnh tốc độ biến đổi, chấn lưu đèn, máy lạnh và thậm chí cả hệ thống âm thanh stereo với bộ khuếch đại chuyển mạch. 

DataSheet

TO247 IGBT 25A 1200V (FGA25N120)